Y. Aoyagi (Ritsumeikan Univ.)
T. Asano (Kyushu Univ.)
S. Chung (National Chiao Tung Univ.)
H. Ishiwara (Tokyo Tech)
H. Ito (Tokyo Electron Ltd.)
Y. Inoue (Renesas Tech. Corp.)
J. Ueda (SILIJ)
H. Uchida (Panasonic Corp.)
T. Ohmi (Tohoku Univ.)
T. Oomori (Mitsubishi Electric Corp.)
T. Onai (Hitachi, Ltd.)
T. Kanayama (AIST)
A. Kamisawa (ROHM Co., Ltd.)
T. Kamiya (NICT)
M. Koyanagi (Tohoku Univ.)
N. Saito (NHK) |
H. Sakaki (Toyota Technological Inst.)
T. Shibata (Univ. of Tokyo)
J. Sone (NEC Corp.)
A. Takahashi (Sharp Corp.)
K. Tada (Kanazawa Inst. of Tech.)
K. Taniguchi (Osaka Univ.)
Y. Tsunashima (Toshiba Corp.)
K. Natori (Tokyo Tech.)
K. Hashimoto (Sony Corp.)
Y. Horiike (NIMS)
T. Masuhara (ASET)
Y. Yasuda (Kochi Univ. of Tech.)
I. Yokohama (NTT Corp.)
N. Yokoyama (Fujitsu Labs. Ltd.)
H. Watanabe (Selete)
|
